• 반도체 기술을 위한 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 방법은 무엇입니까? 반도체 기술을 위한 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 방법은 무엇입니까? Oct 22 , 2024
    탄화규소(SiC)는 반도체 기술의 급속한 발전과 함께 우수한 물리적, 화학적 특성을 지닌 반도체 소재로서 고성능 전자소자 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주고 있다. 그러나 SiC 소재의 장점을 최대한 활용하려면 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 것이 중요한 부분입니다. 이 논문은 최종 SiC 기판이 고성능 전자 장치의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있도록 일련의 정밀한 공정 단계를 통해 SiC 기판의 정밀한 준비 공정을 논의하는 것을 목표로 합니다. 1. 초기 치료: 부드럽고 둥글게 단결정 성장 후 얻은 SiC 결정은 표면의 요철과 성장 결함을 제거하기 위해 먼저 평활화되어야 한다. 이 단계는 후속 처리를 위한 좋은 기반을 제공합니다. 그런 다음 크리스탈 앵커의 가장자리를 매끄럽게 하기 위해 롤링 공정을 수행...
  • 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? Oct 22 , 2024
    SiC(탄화규소) 기판 제조 공정에서 SiC 잉곳 절단은 중요한 단계입니다. 이는 기판의 표면 품질과 치수 정확도를 직접적으로 결정할 뿐만 아니라 비용 관리에도 결정적인 영향을 미칩니다. 표면 거칠기(Ra), 총 두께 편차(TTV), 뒤틀림(BOW) 및 굽힘(WARP)과 같은 절단 공정에 의해 결정되는 주요 매개변수는 기판의 최종 품질, 수율 및 생산 비용에 큰 영향을 미칩니다. . 또한 절단 품질은 후속 연삭 및 연마 공정의 효율성 및 비용과 직접적인 관련이 있습니다. 따라서 SiC 잉곳 절단 기술의 개발과 발전은 전체 탄화규소 기판 제조 산업의 수준을 향상시키는 데 큰 의미가 있습니다. 다이아몬드 톱날, 원형 톱날, 제거, 큰 Ra 차이, 큰 변형, 넓은 슬릿, 느린 속도, 낮은 정밀도, 큰 소음 전기 ...
  • 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? Oct 24 , 2024
    탄화 규소 기판은 차세대 반도체 제품으로서 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 전력 전자 장치 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 SiC 잉곳의 고효율, 저손실 절단은 양산을 제약하는 핵심 기술 중 하나이다. 현재 모르타르 와이어 절단과 다이아몬드 와이어 절단은 SiC 잉곳 절단의 두 가지 주류 기술이며 연마재 도입 방식, 가공 효율성, 재료 손실 및 환경 영향 측면에서 상당한 차이가 있습니다. 이 글에서는 이 두 가지 절단 기술의 특성을 비교 분석하고 SiC 절단 공정의 최적화 방향에 대해 논의하는 것을 목표로 합니다. 1. 연마재 가져오기 모드 및 처리 효율성 · 모르타르 와이어 절단 : 유리 연마재를 사용하여 가공 속도가 상대적으로 느립니다. ·다이아몬드 와이어 절단: 전기 도금, 수지...
  • 실리콘 카바이드 기판 표면 거칠기 문제를 해결하는 방법은 무엇입니까? 실리콘 카바이드 기판 표면 거칠기 문제를 해결하는 방법은 무엇입니까? Oct 24 , 2024
    반도체 장치에 탄화규소(SiC)가 광범위하게 적용됨에 따라 탄화규소 기판의 품질 요구 사항이 점점 더 엄격해지고 있습니다. SiC 소자는 라이너 필름의 표면 두께 변화, 표면 거칠기(Ra), 가공 손상 및 잔류 응력에 대해 엄격한 규정을 가지고 있습니다. 그러나 절단 및 박리 후 SiC 기판은 층 손상, 높은 표면 거칠기 및 낮은 평탄도와 같은 문제를 갖는 경우가 많습니다. 이러한 문제는 후속 에피택시 공정을 위한 고품질 연마 시트를 얻기 위해 효과적인 평탄화 공정을 통해 해결되어야 합니다. 이 기사에서는 SiC 기판 평탄화 공정의 연삭 및 연삭 기술에 초점을 맞추고 그 장점과 단점을 비교 분석합니다. 1. 분쇄공정의 현황과 한계 연삭 공정은 거친 연삭과 미세 연삭의 2단계로 시장 점유율이 높으며, 화학 기...
  • 실리콘 카바이드 기판 CMP 효율성을 향상시키는 기술 발전 실리콘 카바이드 기판 CMP 효율성을 향상시키는 기술 발전 Oct 25 , 2024
    반도체 기술이 지속적으로 발전함에 따라 고성능 소재인 탄화규소(SiC)는 전력 전자 장치 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 탄화규소 기판의 제조 공정에서는 표면 품질 관리가 특히 중요하며, 특히 매우 매끄러운 표면을 얻기 위한 박화, 연삭, 연마 및 기타 공정 후에 더욱 그렇습니다. 그 중 핵심 공정 중 하나인 CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 이전 공정에서 남은 손상층을 제거하고 높은 표면 평탄화를 달성하는 데 큰 의미가 있습니다. 그러나 기존 CMP 공정은 낮은 재료 제거율(MRR) 문제에 직면해 있으며 이는 생산 효율성과 비용에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 SiC 기판의 CMP 효율을 향상시키기 위한 새로운 기술을 탐구하는 것이 현재 연구의 초점이 되...
  • 알루미나 분말 특성은 알루미나 기판 주조 공정에 어떤 영향을 미칩니까? 알루미나 분말 특성은 알루미나 기판 주조 공정에 어떤 영향을 미칩니까? Oct 28 , 2024
    전자 산업 분야에서 알루미나 기판은 우수한 절연성, 화학적 안정성, 높은 열 전도성 및 우수한 고주파 성능으로 인해 전자 부품에 없어서는 안될 기본 재료가 되었습니다. 지지 및 방열 역할을 할 뿐만 아니라 전자 부품의 절연 성능도 보장합니다. 알루미나 주조 슬러리는 알루미나 세라믹 기판을 제조하는 핵심 원료이며, 그 구성과 특성은 최종 제품의 품질과 성능을 직접적으로 결정합니다. 이 기사의 목적은 순도, 크기, 비표면적, 형태 및 분산을 포함한 알루미나 분말의 특성이 주조 공정과 알루미나 세라믹 기판의 성능에 어떤 영향을 미치는지 조사하는 것입니다. 순도효과 알루미나 분말의 순도는 주조 슬러리 품질의 기초입니다. 불순물이 완제품의 외관, 수축, 미세 구조 및 성능에 미치는 부정적인 영향을 피하기 위해 필요한...
  • 고품질 알루미나 기판 준비를 위해 공정 최적화가 중요한 이유는 무엇입니까? 고품질 알루미나 기판 준비를 위해 공정 최적화가 중요한 이유는 무엇입니까? Oct 29 , 2024
    알루미나 기판의 준비는 정밀도가 높은 다단계 공정으로, 용매 선택이 슬러리의 균질성, 건조 효율 및 최종 제품의 물리적 특성에 직접적인 영향을 미칩니다. 용매는 각 성분을 빠르게 용해시켜 안정적인 슬러리를 형성할 수 있어야 할 뿐만 아니라, 그린 빌렛을 효율적으로 건조시켜 전반적인 생산 효율성을 향상시키기 위해 빠른 휘발 특성을 가져야 합니다. 그러나 단일 용매로는 모든 공정 요구 사항, 특히 구배 온도 건조 요구 사항을 충족하기 어려운 경우가 많으며 이로 인해 응력 균열이나 표면 박리 등의 결함이 발생할 수 있습니다. 따라서 용매를 선택할 때 용매의 용해도, 휘발성 및 후속 공정에 미치는 영향을 고려할 필요가 있습니다. 실제로 물, 에탄올, 톨루엔, 트리클로로에탄 및 아세톤과 같은 용매 조합은 용해도, 휘...
  • 준비 중 알루미나 기판 성능에 영향을 미치는 주요 요소는 무엇입니까? 준비 중 알루미나 기판 성능에 영향을 미치는 주요 요소는 무엇입니까? Oct 30 , 2024
    빠르게 발전하는 전자 산업에서 알루미나 기판은 우수한 절연 특성, 화학적 안정성, 높은 열 전도성 및 우수한 고주파 특성을 갖춘 전자 부품에 없어서는 안될 기판이 되었습니다. 이는 전자 부품을 지지할 뿐만 아니라 방열 및 절연에도 중요한 역할을 합니다. 그러나 고품질 알루미나 세라믹 기판을 준비하는 과정은 복잡하고 정교합니다. 원료 공식, 캐스팅 필름 두께 및 소결 공정 매개 변수와 같은 핵심 요소는 제품의 두께 균일성, 외관 품질 및 표면 거칠기에 직접적인 영향을 미치며 제품의 전반적인 성능을 결정합니다. 이 글에서는 알루미나 세라믹 기판 준비 공정을 최적화하기 위한 참고 자료를 제공하기 위해 세 가지 주요 첨가제인 결합제, 가소제, 분산제의 효과와 공정 제어에 대해 논의했습니다. 바인더 선택 및 첨가량 ...
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