질화 규소 세라믹 기판은 고순도 질화 규소 분말로 만들어졌으며 우수한 열 전도성 및 절연성, 높은 기계적 강도 및 경도, 작은 열팽창 계수, 우수한 열충격 저항 성능을 갖춘 차세대 반도체 기판 재료로 반도체에 널리 사용됩니다. 전력 부품, 인버터, 전력 모듈, 다중 장치 집적 회로 등을 포함한 집적 회로
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실리콘 질화물 기판
질화 규소 세라믹 기판은 고순도 질화 규소 분말로 만들어졌으며 우수한 열 전도성 및 절연성, 높은 기계적 강도 및 경도, 작은 열팽창 계수, 우수한 열충격 저항 성능을 갖춘 차세대 반도체 기판 재료로 반도체에 널리 사용됩니다. 전력 부품, 인버터, 전력 모듈, 다중 장치 집적 회로 등을 포함한 집적 회로
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Si3N4 기판의 특성
1. 고온 저항, 최대 사용 온도는 1300°C에 도달할 수 있습니다.
2. 큰 열 전도성, 최대 95W/(...*m), 작은 열 팽창 계수, 3*10-6/..., 우수한 열 충격 저항;
3. 높은 기계적 강도, 우수한 인성, 기계적 충격에 대한 강한 저항성
4. 좋은 전기 절연성, 높은 항복 전압, 큰 전류 전달 용량;
5. 다양한 산, 알칼리 및 기타 화학 물질의 침식에 저항할 수 있으며 내식성이 매우 좋습니다.
Si3N4형 | 가스압소결 Si3N4 | 열간압착 소결 Si3N4 |
밀도(g/cm3) | 3.2 | 3.3 |
굴곡강도(MPa) | 700 | 900 |
영탄성율(GPa) | 300 | 300 |
푸아송비 | 0.25 | 0.28 |
압축강도(MPa) | 2500 | 3000 |
경도(GPa) | 15 | 16 |
파괴인성(MPa*m1/2) | 5~7 | 6~8 |
최대 작동 온도(…) | 1100 | 1300 |
열전도도(W/m*K) | 20 | 25 |
열팽창계수(/...) | 3*10-6 | 3.1*10-6 |
내열충격성(ΔT··) | 550 | 800 |
*이 차트는 Si3N4 제품 및 부품 제조에 일반적으로 사용되는 질화규소 재료의 표준 특성을 보여줍니다. 맞춤형 질화규소 제품 및 부품의 속성은 관련된 특정 공정에 따라 달라질 수 있다는 점에 유의하시기 바랍니다. 세부변수는 안정제의 종류와 조성에 따라 결정된다.
Si3N4 기판의 주요 응용 분야
질화 규소 세라믹 기판은 집적 회로(IC), 무선 주파수(RF) 장치, 압전 부품, 광전 부품, 센서, MEMS 및 전자 부품을 포함한 칩 및 전자 부품의 기판으로 반도체, 전자 제품 및 기타 마이크로 전자 장치 제조에 주로 사용됩니다. 다른 마이크로 전자 장치. 고성능 소재인 질화규소 세라믹 기판은 부품의 정상적인 작동과 성능을 보장하는 안정적인 지지 플랫폼을 제공할 수 있습니다.
1. 전자 산업 애플리케이션
질화 규소 세라믹 기판은 높은 절연 성능과 우수한 고온 저항을 가지며 전자 커패시터, 저항기, 자기 부품 등과 같은 전자 부품 제조에 주로 사용되는 전자 부품의 높은 신뢰성과 고성능 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 에. 또한 고주파 신호의 안정적인 전송을 보장하기 위해 고속 통신 장비의 중간층을 제조하는 데에도 사용할 수 있습니다.
2. 광전산업
질화 규소 세라믹 기판은 우수한 열 성능과 기계적 강도를 제공할 수 있으며 광전 산업, 특히 고전력 LED 제조에 널리 사용되어 LED 부품의 안정성과 수명을 보장합니다. 또한, 태양광 패널의 기계적 강도와 내화학성을 향상시키기 위한 지지재 제조에도 사용할 수 있습니다.
3. 전기산업
질화 규소 세라믹 기판은 우수한 절연 성능과 우수한 방열성을 가지며 전력 모듈, 가열 모듈 등과 같은 다양한 고출력 전기 부품을 제조하는 데 사용할 수 있어 전기 장비의 수명과 신뢰성을 효과적으로 보장합니다. .
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