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탄화규소(SiC)는 반도체 기술의 급속한 발전과 함께 우수한 물리적, 화학적 특성을 지닌 반도체 소재로서 고성능 전자소자 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주고 있다. 그러나 SiC 소재의 장점을 최대한 활용하려면 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 것이 중요한 부분입니다. 이 논문은 최종 SiC 기판이 고성능 전자 장치의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있도록 일련의 정밀한 공정 단계를 통해 SiC 기판의 정밀한 준비 공정을 논의하는 것을 목표로 합니다.

1. 초기 치료: 부드럽고 둥글게

단결정 성장 후 얻은 SiC 결정은 표면의 요철과 성장 결함을 제거하기 위해 먼저 평활화되어야 한다. 이 단계는 후속 처리를 위한 좋은 기반을 제공합니다.

그런 다음 크리스탈 앵커의 가장자리를 매끄럽게 하기 위해 롤링 공정을 수행하여 절단 작업에 유리한 조건을 만들고 절단 공정 중 파손 위험을 줄입니다.

2. 절단 및 솎아내기

정밀 절단 기술을 사용하여 SiC 결정을 여러 장으로 나누어 SiC 기판의 원료가 됩니다.

절단된 시트를 기판의 두께 균일성을 확보하면서 원하는 사양으로 얇게 가공합니다.

3. 표면 품질 개선: 기계적 연마 및 화학적 기계적 연마

기판 표면의 매끄러움을 더욱 향상시키고 연삭시 발생할 수 있는 손상층을 제거하기 위해 기계적 연마 기술을 사용합니다.

CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정은 기판 표면의 평탄도와 청결도를 더욱 향상시키며, 화학과 기계의 시너지 효과를 통해 더 높은 표면 품질을 달성합니다.

4. 청소 및 테스트

연마된 SiC 기판은 기판의 청결을 보장하기 위해 표면에 잔류하는 연마액과 입자를 제거하기 위해 철저하게 세척되어야 합니다.

마지막으로 SiC 기판은 표면 품질, 두께 균일성, 결함 밀도 및 기타 주요 지표를 포함하여 포괄적으로 테스트되어 기판이 고성능 전자 장치의 제조 요구 사항을 충족하는지 확인합니다.

위의 일련의 정밀 공정 단계를 통해 SiC 기판의 정밀한 준비 공정이 완료될 수 있습니다. 초기 연삭 및 라운딩부터 절단 및 박화, 표면 품질 개선, 최종 세척 및 검사에 이르기까지 각 단계는 매우 중요하며 함께 고품질 SiC 기판 준비의 전체 ​​체인을 형성합니다. 이러한 공정 단계의 엄격한 실행과 지속적인 최적화는 고성능 반도체 장치 제조를 위한 견고한 기반을 제공하고 고성능 전자 장치 분야에서 SiC 재료의 광범위한 적용 및 개발을 촉진합니다. 앞으로도 기술의 지속적인 발전과 혁신으로 SiC 기판 준비 과정은 더욱 완벽해지며, 반도체 산업의 지속 가능한 발전에 새로운 활력이 불어넣어질 것입니다.