• 알루미나 준비 기술 및 맞춤형 도가니 트레이의 혁신적인 적용
    알루미나 준비 기술 및 맞춤형 도가니 트레이의 혁신적인 적용 Aug 21 , 2024
    화학적 알루미나 계열은 다양한 특성을 갖고 있으며 준비 조건도 다릅니다. 예를 들어 α-알루미나는 약 1300℃에서 하소하여 준비해야 합니다. 감마-알루미나는 일반적으로 약 500°C의 낮은 온도에서 소성됩니다. 도핑된 변형 알루미나는 용도에 맞게 다른 원소(예: 철, 크롬, 란타늄 등)를 도입해야 합니다. 반면, 고순도 알루미나는 외부 불순물의 혼입을 최대한 피해야 합니다. 이로 인해 소성 공정은 차량에 매우 큰 과제가 됩니다. 알루미나 트레이는  일반적으로 다양한 내화 재료로 만들어지며 가마 지붕에 떨어지는 불꽃, 먼지 및 슬래그와의 직접적인 접촉을 피하기 위해 하소 작업에 사용됩니다. 다양한 종류의 알루미나를 효율적으로 생산하기 위해 다양한 조건에 맞는 맞춤형 도가니 트레이도 탄생했습니다. &...
  • 알루미나 제품군 제조 다각화 및 알루미나 트레이 도가니 기술 혁신
    알루미나 제품군 제조 다각화 및 알루미나 트레이 도가니 기술 혁신 Aug 22 , 2024
    광범위한 재료 과학 분야에서 알루미나 계열은 거대한 구성원 시스템과 다양한 특성으로 인해 연구 및 응용의 핫스팟이 되었습니다. 이 제품군의 각 구성원은 뛰어난 내열성과 화학적 안정성을 보여주기 위해 약 1300°C의 고온 용광로에서 하소해야 하는 알파-알루미나와 같은 고유한 준비 "코드"를 가지고 있습니다. 반면에 감마-알루미나는 약 500°C의 상대적으로 낮은 온도에서 형성되고 독특한 물리적, 화학적 특성을 나타내는 보다 온화한 경로를 선택했습니다. 또한 철, 크롬, 란타늄 및 기타 원소를 능숙하게 도입하여 도핑된 변형 알루미나의 성능을 맞춤화할 수 있습니다. 고순도 알루미나는 모든 외부 불순물을 엄격히 배제하고 궁극적인 순수성을 추구하는 예술가와 같습니다.   이러한 다양한 알루미나 생산 요구에...
  • 질화규소 세라믹 기판 금속화 기술
    질화규소 세라믹 기판 금속화 기술 Aug 23 , 2024
    질화 규소 기판  금속화 기술은 첨단 기술이며 핵심 기술은 질화 규소 세라믹 기판 표면에 금속층의 견고한 결합을 정확하게 달성하는 것입니다. 이 기술을 통해 세라믹 기판에 전기 전도성, 열 전도성 등의 금속 특성을 부여해 적용 범위가 크게 확대됩니다.     전자 패키징 분야에서 질화 규소 세라믹 기판 금속화 기술을 적용하면 패키징 구조의 신뢰성이 크게 향상되고 전자 장비 작동 중 열 스트레스로 인한 고장 위험이 줄어듭니다. 집적회로 분야에서 이 기술은 칩과 기판 사이의 연결 성능을 효과적으로 향상시키고 집적회로의 성능과 안정성을 향상시키는 데 강력한 지원을 제공합니다. 마이크로파 장치 분야에서 질화규소 세라믹 기판 금속화 기술은 우수한 열 전도성과 안정성으로 고전력 및 고주파수에...
  • 질화알루미늄이 고전력 LED 냉각 기판 재료에 이상적인 선택인 이유 질화알루미늄이 고전력 LED 냉각 기판 재료에 이상적인 선택인 이유 Aug 26 , 2024
    LED에서는 우수한 방열 능력이 매우 중요합니다. 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 과정에서 많은 양(70%~80%)의 에너지가 열 에너지로 변환되고 전력이 커질수록, 더 많은 열을 방출해야 합니다. 이러한 열을 제때 방출하지 못하면 이로 인한 접합 온도 상승으로 인해 LED 출력 광전력이 감소할 뿐만 아니라 칩이 날카로워지고 가속되어 장치 수명이 단축되므로 LED 제품 원활한 열 방출을 보장해야 합니다. LED 방열 과정에서 '패키지 기판'이 매우 중요한 역할을 하기 때문에 열전도율이 높은 방열 기판 소재의 개발은 LED 소자의 방열 문제를 해결하고 발광 효율 및 발광 효율을 향상시키는 중요한 방법이 되었습니다. 고전력 LED의 수명. LED 출력이 증가함에 따라 기존의 수지 기판은 오랫동안 방열 성능 ...
  • AlN 기판의 열전도도를 향상시키는 방법 AlN 기판의 열전도도를 향상시키는 방법 Aug 27 , 2024
    과학자들은 미세구조와 산소 불순물 함량이 AlN 세라믹의 열전도율에 영향을 미치는 가장 중요한 두 가지 요소라는 사실을 발견했습니다. 따라서 AlN 세라믹의 열전도도를 향상시키기 위해서는 세라믹 분말 원료의 제조 및 소결 공정에 더 많은 관심을 기울여야 하며, 지속적인 실험 연구를 통해 원래의 질화알루미늄 분말을 정제하고 적절한 저온 소결 첨가제를 첨가하는 것이 좋은 것으로 나타났습니다. 효과적인 솔루션입니다. 분말원료의 선정 질화알루미늄 분말은 우수한 특성을 갖는 질화알루미늄 세라믹 재료를 제조하기 위한 전제조건이자 핵심이다. 질화알루미늄 소결 공정의 원동력은 표면 에너지이며, AlN 분말의 미립자는 소결 활성을 높이고 소결력을 높이며 소결 공정을 가속화할 수 있습니다. 원래의 질화알루미늄 분말의 초기 입...
  • AlN 기판 제조공정 연구 AlN 기판 제조공정 연구 Aug 28 , 2024
    마이크로일렉트로닉스 패키징 기술의 발전으로 전자 부품의 전력 및 밀도가 증가하고 단위 부피당 열량이 증가하며 차세대 회로 기판의 방열 용량(즉, 열전도도)에 대한 요구 사항이 증가하고 있습니다. 그것도 더 엄격하게. 현재 개발된 고열전도율 세라믹 기판은 AlN, SiC 및 BeO입니다. BeO는 독성이 있으며 환경 보호에 도움이 되지 않습니다. SiC의 유전 상수는 기판으로 사용하기에는 너무 높습니다. AlN은 Si에 가까운 열팽창계수와 적당한 유전율로 인해 많은 주목을 받고 있습니다. 전통적인 후막 슬러리는 Al2O3 기판을 기반으로 개발되었으며, 그 조성은 AlN 기판과 반응하기 쉽습니다 후막 회로의 성능에 치명적인 영향을 미치는 가스를 생성합니다. 또한, AlN 기판의 열팽창 계수는 Al2O3 기판의 ...
  • 마이크로 전자공학의 열 관리 강화를 위한 질화알루미늄(AlN) 기판의 저항기 제조 발전 마이크로 전자공학의 열 관리 강화를 위한 질화알루미늄(AlN) 기판의 저항기 제조 발전 Aug 29 , 2024
    마이크로 전자 패키징 기술의 지속적인 발전으로 전자 부품의 전력 밀도가 크게 증가하여 단위 부피당 발열량이 급격히 증가하여 차세대 회로 기판의 성능에 대한 보다 엄격한 표준이 제시되었습니다. 방열 효율(열전도율). 현재 연구자들은 질화알루미늄(AlN), 탄화규소(SiC) 및 산화베릴륨(BeO)을 포함하여 열 전도성이 높은 여러 세라믹 기판 재료를 적극적으로 탐색하고 개발하고 있습니다. ). 그러나 BEO는 잠재적인 독성으로 인해 환경적으로 제한됩니다. SiC는 유전율이 높기 때문에 이상적인 기판 재료로 간주되지 않습니다. 대조적으로, AlN은 실리콘(Si)과 유사한 열팽창 계수와 적당한 유전 상수 특성으로 인해 기판 재료로 널리 선택되고 있습니다. 전통적으로 후막 슬러리는 주로 알루미나(Al2O3) 기판을 ...
  • AlN 기판의 후막 저항기 제조 기술 AlN 기판의 후막 저항기 제조 기술 Aug 30 , 2024
    마이크로일렉트로닉스 패키징 기술이 지속적으로 발전함에 따라 전자 부품의 성능과 집적도가 크게 증가하여 단위 부피당 발열량이 크게 증가했으며 이로 인해 방열 효율에 대한 요구 사항이 더욱 엄격해졌습니다(즉, , 열전도 성능) 차세대 회로 기판의. 현재 연구진은 질화알루미늄(AlN), 탄화규소(SiC), 산화베릴륨( BeO). 그러나 BeO는 독성으로 인해 환경적으로 제한됩니다. SiC는 유전율이 높기 때문에 기판 재료로 사용하기에 적합하지 않습니다. 대조적으로, AlN은 실리콘(Si) 재료와 유사한 열팽창 계수 및 적당한 유전 상수로 인해 선호되는 기판 재료입니다. 전통적으로 후막 슬러프는 주로 알루미나(Al2O3) 기판용으로 설계되었습니다그러나 이러한 슬러리의 구성은 AlN 기판과 접촉할 때 화학 반응을 일...
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세라믹 제품 외에도 당사는 다음을 포함하되 이에 국한되지 않는 다양한 추가 서비스도 제공합니다. 직접 생산한 블랭크 또는 반제품 블랭크를 사용하여 귀하의 필요에 따른 맞춤형 세라믹 가공 서비스; 아웃소싱 세라믹 포장 및 금속화 서비스에 관심이 있으시면 당사에 문의하여 추가 논의를 받으십시오. 우리는 항상 귀하의 다양한 요구 사항을 충족할 수 있는 원스톱 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

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