질화 규소 기판 금속화 기술은 첨단 기술이며 핵심 기술은 질화 규소 세라믹 기판 표면에 금속층의 견고한 결합을 정확하게 달성하는 것입니다. 이 기술을 통해 세라믹 기판에 전기 전도성, 열 전도성 등의 금속 특성을 부여해 적용 범위가 크게 확대됩니다.
전자 패키징 분야에서 질화 규소 세라믹 기판 금속화 기술을 적용하면 패키징 구조의 신뢰성이 크게 향상되고 전자 장비 작동 중 열 스트레스로 인한 고장 위험이 줄어듭니다. 집적회로 분야에서 이 기술은 칩과 기판 사이의 연결 성능을 효과적으로 향상시키고 집적회로의 성능과 안정성을 향상시키는 데 강력한 지원을 제공합니다. 마이크로파 장치 분야에서 질화규소 세라믹 기판 금속화 기술은 우수한 열 전도성과 안정성으로 고전력 및 고주파수에서 마이크로파 장치의 안정적인 작동을 보장합니다.
질화규소 세라믹 기판을 금속화하는 기술적 방법
동시소성 방식은 후막 기술을 이용해 신호선, 마이크로와이어 등 수동소자를 기판에 매립하는 방식이다. 이 방법은 주로 고온 동시 소성과 저온 동시 소성 두 가지로 나뉘며, 공정 흐름은 기본적으로 동일하지만 소결 온도가 다릅니다. 동시소성 방식의 장점은 집적회로의 다양한 요구사항을 충족할 수 있다는 점이지만, 라미네이팅 과정에서 그래프 정렬이 부정확해지는 등의 문제가 발생할 수 있다.
박막법은 진공증착, 이온플레이팅, 스퍼터링코팅 등의 진공코팅 방식으로 필름재료와 세라믹 표면을 결합시키는 방식이다. 금속화 공정에서는 접착력을 향상시키기 위해 금속 필름과 세라믹 기판의 열팽창 계수를 일정하게 유지하는 것이 필요합니다. 박막방식의 장점은 금속층이 균질하고 접착력이 높다는 점이다.
질화규소 세라믹 기판의 금속화 공정의 핵심 요소
금속화 공정에서 온도의 정밀한 제어는 의심할 여지 없이 중요한 부분입니다. 금속층과 세라믹 기판의 결합 품질과 특성은 온도 변화에 직접적인 영향을 받습니다. 과도한 온도는 금속층의 과도한 용융으로 이어질 수 있으며, 구조적 안정성을 저하시키고 심지어 세라믹 기판의 열 손상을 초래할 수도 있습니다. 그러나 온도가 너무 낮으면 금속층과 세라믹 기판 사이의 결합이 충분하지 않아 전반적인 성능에 영향을 미칠 수 있습니다.
납땜의 선택도 금속화 품질에 결정적인 영향을 미칩니다. 솔더의 구성은 소결 공정 중 세라믹 기판과의 견고한 결합을 보장하기 위해 활성 요소가 풍부해야 합니다. 솔더의 젖음성은 성능을 평가하는 중요한 지표이기도 합니다. 우수한 젖음성은 솔더가 금속층과 세라믹 기판 사이에 균일한 분포를 형성하도록 도와줌으로써 금속화 효과를 향상시킵니다. 질화규소 세라믹 기판의 금속화 공정에서 일반적으로 사용되는 금속에는 구리, 은 등이 포함됩니다. 이러한 금속은 금속화된 기판이 우수한 성능을 갖도록 우수한 전기 전도성, 열 전도성 및 내식성을 가져야 합니다.
금속화 공정의 압력 제어도 무시할 수 없는 요소입니다. 용접 공정에서 적절한 압력은 금속층과 세라믹 기판 사이의 긴밀한 결합에 기여하고 결합 강도를 향상시킵니다. 그러나 과도한 압력을 가할 경우 세라믹 기판이 파손되거나 변형될 수 있으므로 용접압력의 정밀한 제어가 필요합니다.
전자 기술의 급속한 발전에 따라 질화규소 세라믹 기판의 금속화 기술도 향상되고 있습니다. 현재 이 기술은 높은 금속화 품질을 달성할 수 있어 세라믹 기판이 금속의 우수한 전기 및 열 전도성과 함께 원래의 우수한 성능을 유지할 수 있게 되었습니다. 미래에는 지속적인 연구 심화와 지속적인 기술 혁신을 통해 질화 규소 세라믹 기판 금속화 기술이 전자 장비 제조에서 더욱 중요한 역할을 담당하고 장비의 성능, 안정성 및 신뢰성을 향상시키는 데 더 큰 기여를 할 것입니다.
