• 탄화 규소 기판 연마의 주요 과제는 무엇입니까? 탄화 규소 기판 연마의 주요 과제는 무엇입니까? Oct 14 , 2024
    고성능 반도체 소재인 탄화규소(SiC)는 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 전력 전자, 무선 주파수 마이크로파, 광전자공학 및 기타 분야에서 큰 응용 가능성을 보여줍니다. 그러나 탄화규소의 높은 경도와 안정적인 격자 구조는 연마 공정에 큰 어려움을 안겨줍니다. 본 논문에서는 탄화규소 기판 연마가 어려운 이유에 초점을 맞춰 관련 분야의 연구 및 응용에 참고 자료를 제공하고자 한다. 첫째, 연마문제로 인한 높은 경도와 취성 탄화규소의 초고경도는 놀라운 특성 중 하나이며, 모스 경도는 최대 9.5로 다이아몬드에 이어 두 번째입니다. 이러한 높은 경도 특성으로 인해 연마 공정에서는 동일한 경도의 연마재와 도구를 사용해야 합니다. 그러나 경도가 높은 연마재는 연마 과정에서 연마 도구의 급격한 마모로 이어지는 경우...
  • 대규모 응용 분야의 탄화 규소 가공의 어려움을 어떻게 해결합니까? 대규모 응용 분야의 탄화 규소 가공의 어려움을 어떻게 해결합니까? Oct 15 , 2024
    탄화규소 기판의 가공은 어렵지만, 전자 부품에 단결정 탄화규소를 적용하는 것이 미래 개발 방향이 되도록 탄화규소 장치가 대규모 응용 및 홍보가 되도록 하기 위해, 탄화규소 가공이 어려운 문제를 해결할 수 있는 방법을 찾는 것이 필요하다. 현재 SiC 재료 가공 기술은 주로 방향 절단, 칩 거친 연삭, 미세 연삭, 기계 연마 및 화학 기계 연마(미세 연마) 공정을 가지고 있습니다. 그 중 화학기계적 연마는 최종공정으로, 그 공정방법의 선택, 공정경로 배치, 공정변수의 최적화는 연마효율과 가공비용에 직접적인 영향을 미친다. 그러나 SiC 재료의 높은 경도와 화학적 안정성으로 인해 기존 CMP 연마 공정에서는 재료 제거율이 낮습니다. 이에 업계에서는 플라즈마 보조, 촉매 보조, 자외선 보조, 전기장 보조 등 평탄...
  • 반도체 기술을 위한 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 방법은 무엇입니까? 반도체 기술을 위한 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 방법은 무엇입니까? Oct 22 , 2024
    탄화규소(SiC)는 반도체 기술의 급속한 발전과 함께 우수한 물리적, 화학적 특성을 지닌 반도체 소재로서 고성능 전자소자 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주고 있다. 그러나 SiC 소재의 장점을 최대한 활용하려면 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 것이 중요한 부분입니다. 이 논문은 최종 SiC 기판이 고성능 전자 장치의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있도록 일련의 정밀한 공정 단계를 통해 SiC 기판의 정밀한 준비 공정을 논의하는 것을 목표로 합니다. 1. 초기 치료: 부드럽고 둥글게 단결정 성장 후 얻은 SiC 결정은 표면의 요철과 성장 결함을 제거하기 위해 먼저 평활화되어야 한다. 이 단계는 후속 처리를 위한 좋은 기반을 제공합니다. 그런 다음 크리스탈 앵커의 가장자리를 매끄럽게 하기 위해 롤링 공정을 수행...
  • 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? Oct 22 , 2024
    SiC(탄화규소) 기판 제조 공정에서 SiC 잉곳 절단은 중요한 단계입니다. 이는 기판의 표면 품질과 치수 정확도를 직접적으로 결정할 뿐만 아니라 비용 관리에도 결정적인 영향을 미칩니다. 표면 거칠기(Ra), 총 두께 편차(TTV), 뒤틀림(BOW) 및 굽힘(WARP)과 같은 절단 공정에 의해 결정되는 주요 매개변수는 기판의 최종 품질, 수율 및 생산 비용에 큰 영향을 미칩니다. . 또한 절단 품질은 후속 연삭 및 연마 공정의 효율성 및 비용과 직접적인 관련이 있습니다. 따라서 SiC 잉곳 절단 기술의 개발과 발전은 전체 탄화규소 기판 제조 산업의 수준을 향상시키는 데 큰 의미가 있습니다. 다이아몬드 톱날, 원형 톱날, 제거, 큰 Ra 차이, 큰 변형, 넓은 슬릿, 느린 속도, 낮은 정밀도, 큰 소음 전기 ...
  • 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? Oct 24 , 2024
    탄화 규소 기판은 차세대 반도체 제품으로서 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 전력 전자 장치 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 SiC 잉곳의 고효율, 저손실 절단은 양산을 제약하는 핵심 기술 중 하나이다. 현재 모르타르 와이어 절단과 다이아몬드 와이어 절단은 SiC 잉곳 절단의 두 가지 주류 기술이며 연마재 도입 방식, 가공 효율성, 재료 손실 및 환경 영향 측면에서 상당한 차이가 있습니다. 이 글에서는 이 두 가지 절단 기술의 특성을 비교 분석하고 SiC 절단 공정의 최적화 방향에 대해 논의하는 것을 목표로 합니다. 1. 연마재 가져오기 모드 및 처리 효율성 · 모르타르 와이어 절단 : 유리 연마재를 사용하여 가공 속도가 상대적으로 느립니다. ·다이아몬드 와이어 절단: 전기 도금, 수지...
  • 실리콘 카바이드 기판 표면 거칠기 문제를 해결하는 방법은 무엇입니까? 실리콘 카바이드 기판 표면 거칠기 문제를 해결하는 방법은 무엇입니까? Oct 24 , 2024
    반도체 장치에 탄화규소(SiC)가 광범위하게 적용됨에 따라 탄화규소 기판의 품질 요구 사항이 점점 더 엄격해지고 있습니다. SiC 소자는 라이너 필름의 표면 두께 변화, 표면 거칠기(Ra), 가공 손상 및 잔류 응력에 대해 엄격한 규정을 가지고 있습니다. 그러나 절단 및 박리 후 SiC 기판은 층 손상, 높은 표면 거칠기 및 낮은 평탄도와 같은 문제를 갖는 경우가 많습니다. 이러한 문제는 후속 에피택시 공정을 위한 고품질 연마 시트를 얻기 위해 효과적인 평탄화 공정을 통해 해결되어야 합니다. 이 기사에서는 SiC 기판 평탄화 공정의 연삭 및 연삭 기술에 초점을 맞추고 그 장점과 단점을 비교 분석합니다. 1. 분쇄공정의 현황과 한계 연삭 공정은 거친 연삭과 미세 연삭의 2단계로 시장 점유율이 높으며, 화학 기...
  • 실리콘 카바이드 기판 CMP 효율성을 향상시키는 기술 발전 실리콘 카바이드 기판 CMP 효율성을 향상시키는 기술 발전 Oct 25 , 2024
    반도체 기술이 지속적으로 발전함에 따라 고성능 소재인 탄화규소(SiC)는 전력 전자 장치 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 탄화규소 기판의 제조 공정에서는 표면 품질 관리가 특히 중요하며, 특히 매우 매끄러운 표면을 얻기 위한 박화, 연삭, 연마 및 기타 공정 후에 더욱 그렇습니다. 그 중 핵심 공정 중 하나인 CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 이전 공정에서 남은 손상층을 제거하고 높은 표면 평탄화를 달성하는 데 큰 의미가 있습니다. 그러나 기존 CMP 공정은 낮은 재료 제거율(MRR) 문제에 직면해 있으며 이는 생산 효율성과 비용에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 SiC 기판의 CMP 효율을 향상시키기 위한 새로운 기술을 탐구하는 것이 현재 연구의 초점이 되...
  • 초고압은 어떻게 나노구조 투명 세라믹의 제조를 가능하게 합니까? 초고압은 어떻게 나노구조 투명 세라믹의 제조를 가능하게 합니까? Nov 08 , 2024
    일종의 고효율 소재인 투명 세라믹은 독특한 광투과율, 높은 강도, 우수한 열 안정성으로 인해 광학, 전자, 항공우주 및 기타 분야에서 큰 응용 가능성을 보여줍니다. 그러나 투명 세라믹을 제조하는 전통적인 방법은 비정상적인 입자 성장, 높은 소결 온도 및 복잡한 공정과 같은 문제에 직면하는 경우가 많습니다. 최근 몇 년간 투명 세라믹을 제조하기 위해 초고압 기술을 사용하는 것이 연구 핫스팟이 되었습니다. 특히 나노 구조의 투명 세라믹을 제조하는 데 있어 이 방법은 공정을 단순화할 뿐만 아니라 재료의 성능을 크게 향상시킵니다. 본 논문에서는 나노구조 투명 세라믹의 초고압 제조 방법, 장점 및 잠재적 응용에 대해 논의합니다. 투명 세라믹 초고압 제조의 기본원리 투명 세라믹의 초고압 제조의 핵심은 1GPa 이상의 ...
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