• 질화알루미늄이 고전력 LED 냉각 기판 재료에 이상적인 선택인 이유 질화알루미늄이 고전력 LED 냉각 기판 재료에 이상적인 선택인 이유 Aug 26 , 2024
    LED에서는 우수한 방열 능력이 매우 중요합니다. 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 과정에서 많은 양(70%~80%)의 에너지가 열 에너지로 변환되고 전력이 커질수록, 더 많은 열을 방출해야 합니다. 이러한 열을 제때 방출하지 못하면 이로 인한 접합 온도 상승으로 인해 LED 출력 광전력이 감소할 뿐만 아니라 칩이 날카로워지고 가속되어 장치 수명이 단축되므로 LED 제품 원활한 열 방출을 보장해야 합니다. LED 방열 과정에서 '패키지 기판'이 매우 중요한 역할을 하기 때문에 열전도율이 높은 방열 기판 소재의 개발은 LED 소자의 방열 문제를 해결하고 발광 효율 및 발광 효율을 향상시키는 중요한 방법이 되었습니다. 고전력 LED의 수명. LED 출력이 증가함에 따라 기존의 수지 기판은 오랫동안 방열 성능 ...
  • AlN 기판의 열전도도를 향상시키는 방법 AlN 기판의 열전도도를 향상시키는 방법 Aug 27 , 2024
    과학자들은 미세구조와 산소 불순물 함량이 AlN 세라믹의 열전도율에 영향을 미치는 가장 중요한 두 가지 요소라는 사실을 발견했습니다. 따라서 AlN 세라믹의 열전도도를 향상시키기 위해서는 세라믹 분말 원료의 제조 및 소결 공정에 더 많은 관심을 기울여야 하며, 지속적인 실험 연구를 통해 원래의 질화알루미늄 분말을 정제하고 적절한 저온 소결 첨가제를 첨가하는 것이 좋은 것으로 나타났습니다. 효과적인 솔루션입니다. 분말원료의 선정 질화알루미늄 분말은 우수한 특성을 갖는 질화알루미늄 세라믹 재료를 제조하기 위한 전제조건이자 핵심이다. 질화알루미늄 소결 공정의 원동력은 표면 에너지이며, AlN 분말의 미립자는 소결 활성을 높이고 소결력을 높이며 소결 공정을 가속화할 수 있습니다. 원래의 질화알루미늄 분말의 초기 입...
  • AlN 기판 제조공정 연구 AlN 기판 제조공정 연구 Aug 28 , 2024
    마이크로일렉트로닉스 패키징 기술의 발전으로 전자 부품의 전력 및 밀도가 증가하고 단위 부피당 열량이 증가하며 차세대 회로 기판의 방열 용량(즉, 열전도도)에 대한 요구 사항이 증가하고 있습니다. 그것도 더 엄격하게. 현재 개발된 고열전도율 세라믹 기판은 AlN, SiC 및 BeO입니다. BeO는 독성이 있으며 환경 보호에 도움이 되지 않습니다. SiC의 유전 상수는 기판으로 사용하기에는 너무 높습니다. AlN은 Si에 가까운 열팽창계수와 적당한 유전율로 인해 많은 주목을 받고 있습니다. 전통적인 후막 슬러리는 Al2O3 기판을 기반으로 개발되었으며, 그 조성은 AlN 기판과 반응하기 쉽습니다 후막 회로의 성능에 치명적인 영향을 미치는 가스를 생성합니다. 또한, AlN 기판의 열팽창 계수는 Al2O3 기판의 ...
  • 마이크로 전자공학의 열 관리 강화를 위한 질화알루미늄(AlN) 기판의 저항기 제조 발전 마이크로 전자공학의 열 관리 강화를 위한 질화알루미늄(AlN) 기판의 저항기 제조 발전 Aug 29 , 2024
    마이크로 전자 패키징 기술의 지속적인 발전으로 전자 부품의 전력 밀도가 크게 증가하여 단위 부피당 발열량이 급격히 증가하여 차세대 회로 기판의 성능에 대한 보다 엄격한 표준이 제시되었습니다. 방열 효율(열전도율). 현재 연구자들은 질화알루미늄(AlN), 탄화규소(SiC) 및 산화베릴륨(BeO)을 포함하여 열 전도성이 높은 여러 세라믹 기판 재료를 적극적으로 탐색하고 개발하고 있습니다. ). 그러나 BEO는 잠재적인 독성으로 인해 환경적으로 제한됩니다. SiC는 유전율이 높기 때문에 이상적인 기판 재료로 간주되지 않습니다. 대조적으로, AlN은 실리콘(Si)과 유사한 열팽창 계수와 적당한 유전 상수 특성으로 인해 기판 재료로 널리 선택되고 있습니다. 전통적으로 후막 슬러리는 주로 알루미나(Al2O3) 기판을 ...
  • AlN 기판의 후막 저항기 제조 기술 AlN 기판의 후막 저항기 제조 기술 Aug 30 , 2024
    마이크로일렉트로닉스 패키징 기술이 지속적으로 발전함에 따라 전자 부품의 성능과 집적도가 크게 증가하여 단위 부피당 발열량이 크게 증가했으며 이로 인해 방열 효율에 대한 요구 사항이 더욱 엄격해졌습니다(즉, , 열전도 성능) 차세대 회로 기판의. 현재 연구진은 질화알루미늄(AlN), 탄화규소(SiC), 산화베릴륨( BeO). 그러나 BeO는 독성으로 인해 환경적으로 제한됩니다. SiC는 유전율이 높기 때문에 기판 재료로 사용하기에 적합하지 않습니다. 대조적으로, AlN은 실리콘(Si) 재료와 유사한 열팽창 계수 및 적당한 유전 상수로 인해 선호되는 기판 재료입니다. 전통적으로 후막 슬러프는 주로 알루미나(Al2O3) 기판용으로 설계되었습니다그러나 이러한 슬러리의 구성은 AlN 기판과 접촉할 때 화학 반응을 일...
  • AlN 기판 성능 향상을 위한 소결 첨가제 최적화 AlN 기판 성능 향상을 위한 소결 첨가제 최적화 Sep 02 , 2024
    실제 응용 분야에서는 높은 열 전도성과 높은 전기 절연성 외에도 질화알루미늄 기판은 다양한 분야에서 높은 굽힘 강도를 요구합니다. 현재 시중에서 유통되는 질화알루미늄의 3점 굽힘 강도는 일반적으로 400~500MPa이며, 이는 특히 높은 신뢰성 요구 사항이 있는 IGBT 전력 장치 분야에서 질화알루미늄 세라믹 기판의 홍보 및 적용을 심각하게 제한합니다. AlN 재료의 복잡한 생산 공정과 높은 생산 비용으로 인해 대부분의 국내 AlN 재료는 여전히 높은 열 전도성과 고강도에 대한 응용 요구 사항을 충족할 수 없습니다. 질화알루미늄 세라믹 기판을 준비할 때 소결 방법과 소결 첨가제를 선택하면 절반의 노력으로 두 배의 결과를 얻을 수 있으며, 현재 질화알루미늄 세라믹을 소결하는 일반적인 방법은 소결 첨가제를 도입...
  • 반도체 소자 방열 분야에서 질화규소 기판의 응용 가능성 반도체 소자 방열 분야에서 질화규소 기판의 응용 가능성 Sep 03 , 2024
    지능정보화 시대에 접어들면서 반도체 소자는 빠르게 우리 삶을 점령했습니다. 가공물에서 발생하는 열은 반도체 소자의 고장을 일으키는 주요 요인이므로, 소자 고장으로 인한 많은 문제를 방지하고 장기적으로 효과적이고 안전한 작동을 보장하기 위해서는 효율적인 방열 장치가 필요합니다. 시스템. 현재 업계의 '방열' 작업에 있어 신전력 세라믹 기판의 교체는 매우 중요한 부분입니다. 우수한 내열성, 내식성, 높은 열전도율, 높은 기계적 강도, 칩과 일치하는 열팽창 계수 및 특성이 쉽게 저하되지 않는 세라믹 기판은 금속, 플라스틱 및 기타 재료보다 유리하며 고열 및 제품에 적합합니다. 가혹한 야외 환경으로 인해 대중에게 점점 더 널리 받아들여지고 있습니다. 세라믹 기판은 반도체 집적 회로에서 다음과 같은 역할을 합니다: ...
  • 질화규소 기판의 열전도율 최적화 질화규소 기판의 열전도율 최적화 Sep 04 , 2024
    고성능 열 관리 솔루션의 핵심인 질화규소(Si3N4) 기판 재료를 탐색할 때 열 전달 메커니즘에 대한 이해가 중요합니다. 질화규소의 주요 열 전달 메커니즘은 포논이라고 불리는 양자화된 핫 전하 캐리어를 통해 열을 전달하는 프로세스인 격자 진동에 의존하는 것으로 알려져 있습니다. 격자 내에서 포논의 전파는 단순한 선형 운동이 아니라 격자 사이의 복잡한 결합의 영향을 받아 포논 간의 빈번한 충돌이 발생하여 포논의 평균 자유 경로, 즉 평균 두 번의 충돌 사이에서 포논이 자유롭게 이동할 수 있는 거리. 이 메커니즘은 질화규소 재료의 열전도도에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, Si3N4 결정의 다양한 결함, 불순물 및 입자 계면은 포논 산란의 주요 원인이 됩니다. 이러한 산란 현상은 또한 포논의 평균 자유 경로를...
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