• 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? Oct 22 , 2024
    SiC(탄화규소) 기판 제조 공정에서 SiC 잉곳 절단은 중요한 단계입니다. 이는 기판의 표면 품질과 치수 정확도를 직접적으로 결정할 뿐만 아니라 비용 관리에도 결정적인 영향을 미칩니다. 표면 거칠기(Ra), 총 두께 편차(TTV), 뒤틀림(BOW) 및 굽힘(WARP)과 같은 절단 공정에 의해 결정되는 주요 매개변수는 기판의 최종 품질, 수율 및 생산 비용에 큰 영향을 미칩니다. . 또한 절단 품질은 후속 연삭 및 연마 공정의 효율성 및 비용과 직접적인 관련이 있습니다. 따라서 SiC 잉곳 절단 기술의 개발과 발전은 전체 탄화규소 기판 제조 산업의 수준을 향상시키는 데 큰 의미가 있습니다. 다이아몬드 톱날, 원형 톱날, 제거, 큰 Ra 차이, 큰 변형, 넓은 슬릿, 느린 속도, 낮은 정밀도, 큰 소음 전기 ...
  • 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? Oct 24 , 2024
    탄화 규소 기판은 차세대 반도체 제품으로서 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 전력 전자 장치 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 SiC 잉곳의 고효율, 저손실 절단은 양산을 제약하는 핵심 기술 중 하나이다. 현재 모르타르 와이어 절단과 다이아몬드 와이어 절단은 SiC 잉곳 절단의 두 가지 주류 기술이며 연마재 도입 방식, 가공 효율성, 재료 손실 및 환경 영향 측면에서 상당한 차이가 있습니다. 이 글에서는 이 두 가지 절단 기술의 특성을 비교 분석하고 SiC 절단 공정의 최적화 방향에 대해 논의하는 것을 목표로 합니다. 1. 연마재 가져오기 모드 및 처리 효율성 · 모르타르 와이어 절단 : 유리 연마재를 사용하여 가공 속도가 상대적으로 느립니다. ·다이아몬드 와이어 절단: 전기 도금, 수지...
  • 실리콘 카바이드 기판 표면 거칠기 문제를 해결하는 방법은 무엇입니까? 실리콘 카바이드 기판 표면 거칠기 문제를 해결하는 방법은 무엇입니까? Oct 24 , 2024
    반도체 장치에 탄화규소(SiC)가 광범위하게 적용됨에 따라 탄화규소 기판의 품질 요구 사항이 점점 더 엄격해지고 있습니다. SiC 소자는 라이너 필름의 표면 두께 변화, 표면 거칠기(Ra), 가공 손상 및 잔류 응력에 대해 엄격한 규정을 가지고 있습니다. 그러나 절단 및 박리 후 SiC 기판은 층 손상, 높은 표면 거칠기 및 낮은 평탄도와 같은 문제를 갖는 경우가 많습니다. 이러한 문제는 후속 에피택시 공정을 위한 고품질 연마 시트를 얻기 위해 효과적인 평탄화 공정을 통해 해결되어야 합니다. 이 기사에서는 SiC 기판 평탄화 공정의 연삭 및 연삭 기술에 초점을 맞추고 그 장점과 단점을 비교 분석합니다. 1. 분쇄공정의 현황과 한계 연삭 공정은 거친 연삭과 미세 연삭의 2단계로 시장 점유율이 높으며, 화학 기...
  • 실리콘 카바이드 기판 CMP 효율성을 향상시키는 기술 발전 실리콘 카바이드 기판 CMP 효율성을 향상시키는 기술 발전 Oct 25 , 2024
    반도체 기술이 지속적으로 발전함에 따라 고성능 소재인 탄화규소(SiC)는 전력 전자 장치 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 탄화규소 기판의 제조 공정에서는 표면 품질 관리가 특히 중요하며, 특히 매우 매끄러운 표면을 얻기 위한 박화, 연삭, 연마 및 기타 공정 후에 더욱 그렇습니다. 그 중 핵심 공정 중 하나인 CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 이전 공정에서 남은 손상층을 제거하고 높은 표면 평탄화를 달성하는 데 큰 의미가 있습니다. 그러나 기존 CMP 공정은 낮은 재료 제거율(MRR) 문제에 직면해 있으며 이는 생산 효율성과 비용에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 SiC 기판의 CMP 효율을 향상시키기 위한 새로운 기술을 탐구하는 것이 현재 연구의 초점이 되...
  • 고전력 IGBT 모듈 패키징에 가장 적합한 세라믹 기판 재료는 무엇입니까? 고전력 IGBT 모듈 패키징에 가장 적합한 세라믹 기판 재료는 무엇입니까? Nov 11 , 2024
    현대 전력 전자 시스템에서 IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 모듈은 에너지 변환 및 제어의 핵심 구성 요소이며 장기적인 안정성과 신뢰성이 매우 중요합니다. IGBT 모듈 패키지 구조의 핵심 구성 요소인 세라믹 클래드 기판은 회로 구성 요소를 운반할 뿐만 아니라 모듈의 방열 효율과 서비스 수명에 직접적인 영향을 미치는 열 전도라는 무거운 작업을 수행합니다. 이 논문은 특히 열전도율과 열팽창 계수 매칭의 관점에서 세라믹 동박판의 성능에 대한 다양한 세라믹 기판 재료의 영향을 조사하고 알루미나, 질화규소 및 질화알루미늄 세라믹 기판 재료의 장단점을 분석하는 것을 목표로 합니다. , 고출력 모듈 패키징 재료 선택에 대한 이론적 근거를 제공하기 위해. 알루미나 기재의 적용한계: 알루미나 세라믹 기판은 비용 ...
  • 질화알루미늄 세라믹 동박판을 효율적으로 준비하고 최적화하는 방법은 무엇입니까? 질화알루미늄 세라믹 동박판을 효율적으로 준비하고 최적화하는 방법은 무엇입니까? Nov 12 , 2024
    전력 전자 기술의 급속한 발전, 특히 고전압, 고전류 및 고주파수 IGBT 모듈과 같은 전력 반도체 장치의 광범위한 적용으로 인해 세라믹 구리 코팅 기판에 대한 요구 사항이 더욱 엄격해졌습니다. 높은 열 전도성, 낮은 유전 상수 및 우수한 기계적 특성을 지닌 일종의 세라믹 재료인 질화알루미늄(AlN)은 고성능 세라믹 구리 코팅 기판을 준비하는 데 이상적인 선택입니다. 그러나 질화알루미늄 기판의 표면 특성으로 인해 구리 및 산화구리가 젖거나 퍼지는 것이 어려워 DBC(직접 결합 구리) 공정에 직접 적용하는 데 한계가 있습니다. 따라서 질화알루미늄 세라믹 동박판의 효율적인 제조공정을 탐색하고 그 성능을 최적화하는 것이 현재 연구의 초점이 되고 있다. 질화알루미늄 DBC 준비 공정의 과제와 솔루션: 질화알루미늄의...
  • 실리콘 카바이드 도가니 성능 최적화: 재료 및 공정 실리콘 카바이드 도가니 성능 최적화: 재료 및 공정 Nov 13 , 2024
    세라믹 재료 과학 및 기술이 지속적으로 발전함에 따라 고성능 비산화물 세라믹 재료의 일종인 탄화규소(SiC)는 고유한 물리적, 화학적 특성으로 인해 많은 산업 분야에서 큰 응용 가능성을 보여 왔습니다. 특히 고온 가마에서 탄화규소 도가니는 뛰어난 내열성, 내식성, 높은 열 전도성 특성을 갖추고 있어 고온 소결 공정을 지지하고 보호하는 핵심 구성 요소가 되었습니다. 본 논문의 목적은 도가니의 재료 구성을 조사하고, 핵심 재료의 특성을 분석하며, 보조 재료가 어떻게 함께 작용하여 도가니의 전체 성능을 최적화하는지 조사하는 것입니다. 탄화규소 심재의 특성 1. 높은 경도 및 내마모성: 탄화규소의 경도는 다이아몬드 다음으로 뛰어나 도가니에 탁월한 내마모성을 제공하고 서비스 수명을 효과적으로 연장합니다. 2. 우수한...
  • 고온 산업에서 실리콘 카바이드 도가니가 필수불가결한 이유는 무엇입니까? 고온 산업에서 실리콘 카바이드 도가니가 필수불가결한 이유는 무엇입니까? Nov 14 , 2024
    현대 고온 산업 기술의 지속적인 발전으로 인해 재료 특성에 대한 요구 사항이 증가하고 있습니다. 탄화규소 도가니는 독특한 소재 구성과 일련의 우수한 특성을 바탕으로 고온 산업 분야에서 없어서는 안 될 소재가 되었습니다. 이 기사의 목적은 도가니의 7가지 우수한 특성과 고온 산업에서의 폭넓은 적용에 대해 논의하는 것입니다. 고온 안정성 Sic 도가니는 녹는점이 매우 높고(약 2700°C) 매우 높은 온도에서도 안정적으로 유지될 수 있으며 쉽게 변형되거나 녹지 않습니다. 이러한 특성으로 인해 세라믹 소결, 금속 제련 등과 같은 고온 처리가 필요한 공정에 사용하기에 이상적입니다. 고온 환경에서 탄화규소 도가니는 구조적 무결성과 안정적인 성능을 유지할 수 있어 고온 산업에 신뢰할 수 있는 재료 보증을 제공합니다. ...
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