• 기압 소결 실리콘 질화물 볼의 특성에 대한 소결 온도의 영향 기압 소결 실리콘 질화물 볼의 특성에 대한 소결 온도의 영향 Oct 09 , 2024
    높은 경도, 높은 강도, 우수한 내마모성 및 화학적 안정성으로 인해 질화 규소 세라믹은 세라믹 베어링, 절삭 공구 및 고온 구조 재료에 광범위한 응용 가능성을 보여줍니다. 본 연구에서는 자체 제작한 α-Si3N4 분말을 원료로 사용하고, 나노 크기의 Y2O3 및 Al2O3를 소결 첨가제로 결합하고, 질화규소 볼을
  • AMB 실리콘 질화물 기판이 SiC 전력 장치 패키징을 위한 첫 번째 선택인 이유 AMB 실리콘 질화물 기판이 SiC 전력 장치 패키징을 위한 첫 번째 선택인 이유 Oct 10 , 2024
    전력 전자 기술의 급속한 발전과 함께 우수한 고온 안정성, 높은 에너지 밀도 및 낮은 손실 특성을 갖춘 탄화규소(SiC) 전력 장치는 신에너지 차량, 스마트 그리드 및 효율적인 에너지 변환 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 SiC 장치의 성능 이점을 최대한 활용하려면 올바른 패키징 기판을 선택하는 것이 중요합니다. 많은 세라믹 기판 유형 중에서 활성 금속 브레이징(AMB) 실리콘 질화물(Si3N4) 기판은 고유한 장점을 지닌 SiC 전력 장치 패키징에서 점차 선호되는 솔루션이 되었습니다. 이 문서의 목적은 AMB 세라믹 기판, 특히 Si3N4-AMB 기판이 왜 우수하고 고온, 고전력, 고방열 및 높은 신뢰성을 위한 SiC 전력 장치의 패키징 요구 사항을 충족하는지 살펴보는 것입니다. 전력소자...
  • Ag-Cu-Ti 합금 필러 금속을 사용하는 AMB 실리콘 질화물 기판의 능동 브레이징에 대한 과제 및 고려 사항 Ag-Cu-Ti 합금 필러 금속을 사용하는 AMB 실리콘 질화물 기판의 능동 브레이징에 대한 과제 및 고려 사항 Oct 11 , 2024
    AMB 질화규소 기판 공정에서 브레이징은 가장 중요한 공정으로, 활성 브레이징 용가재 준비와 활성 금속 브레이징이 현재 핵심이자 난점이다. Ti, Zr, Hf, V, Nb 등은 질화규소 기판 표면에 침투할 수 있는 일반적인 활성 금속 원소이며 세라믹과 금속 사이의 활성 밀봉에 널리 사용됩니다. 그 중 Ti를 활성원소로 하는 Ag-Cu-Ti 합금은 가장 많이 연구되고 가장 널리 사용되는 활성용가재이다. 800~950 ℃의 온도에서 대부분의 세라믹 표면을 적실 수 있으며 브레이징 헤드는 강도가 높고 성능이 안정적이므로 세라믹과 금속, 세라믹과 세라믹 사이의 밀봉이 더 잘 실현될 수 있습니다. Ag-Cu-Ti 활물질 용가재의 용도에는 다음과 같은 4가지 형태가 있는데, 이는 Ti원소의 형태와 용가재의 조합에 따라...
  • 탄화 규소 기판 연마의 주요 과제는 무엇입니까? 탄화 규소 기판 연마의 주요 과제는 무엇입니까? Oct 14 , 2024
    고성능 반도체 소재인 탄화규소(SiC)는 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 전력 전자, 무선 주파수 마이크로파, 광전자공학 및 기타 분야에서 큰 응용 가능성을 보여줍니다. 그러나 탄화규소의 높은 경도와 안정적인 격자 구조는 연마 공정에 큰 어려움을 안겨줍니다. 본 논문에서는 탄화규소 기판 연마가 어려운 이유에 초점을 맞춰 관련 분야의 연구 및 응용에 참고 자료를 제공하고자 한다. 첫째, 연마문제로 인한 높은 경도와 취성 탄화규소의 초고경도는 놀라운 특성 중 하나이며, 모스 경도는 최대 9.5로 다이아몬드에 이어 두 번째입니다. 이러한 높은 경도 특성으로 인해 연마 공정에서는 동일한 경도의 연마재와 도구를 사용해야 합니다. 그러나 경도가 높은 연마재는 연마 과정에서 연마 도구의 급격한 마모로 이어지는 경우...
  • 대규모 응용 분야의 탄화 규소 가공의 어려움을 어떻게 해결합니까? 대규모 응용 분야의 탄화 규소 가공의 어려움을 어떻게 해결합니까? Oct 15 , 2024
    탄화규소 기판의 가공은 어렵지만, 전자 부품에 단결정 탄화규소를 적용하는 것이 미래 개발 방향이 되도록 탄화규소 장치가 대규모 응용 및 홍보가 되도록 하기 위해, 탄화규소 가공이 어려운 문제를 해결할 수 있는 방법을 찾는 것이 필요하다. 현재 SiC 재료 가공 기술은 주로 방향 절단, 칩 거친 연삭, 미세 연삭, 기계 연마 및 화학 기계 연마(미세 연마) 공정을 가지고 있습니다. 그 중 화학기계적 연마는 최종공정으로, 그 공정방법의 선택, 공정경로 배치, 공정변수의 최적화는 연마효율과 가공비용에 직접적인 영향을 미친다. 그러나 SiC 재료의 높은 경도와 화학적 안정성으로 인해 기존 CMP 연마 공정에서는 재료 제거율이 낮습니다. 이에 업계에서는 플라즈마 보조, 촉매 보조, 자외선 보조, 전기장 보조 등 평탄...
  • 반도체 기술을 위한 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 방법은 무엇입니까? 반도체 기술을 위한 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 방법은 무엇입니까? Oct 22 , 2024
    탄화규소(SiC)는 반도체 기술의 급속한 발전과 함께 우수한 물리적, 화학적 특성을 지닌 반도체 소재로서 고성능 전자소자 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주고 있다. 그러나 SiC 소재의 장점을 최대한 활용하려면 고품질 탄화규소 기판을 준비하는 것이 중요한 부분입니다. 이 논문은 최종 SiC 기판이 고성능 전자 장치의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있도록 일련의 정밀한 공정 단계를 통해 SiC 기판의 정밀한 준비 공정을 논의하는 것을 목표로 합니다. 1. 초기 치료: 부드럽고 둥글게 단결정 성장 후 얻은 SiC 결정은 표면의 요철과 성장 결함을 제거하기 위해 먼저 평활화되어야 한다. 이 단계는 후속 처리를 위한 좋은 기반을 제공합니다. 그런 다음 크리스탈 앵커의 가장자리를 매끄럽게 하기 위해 롤링 공정을 수행...
  • 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? 절단 기술은 탄화규소 기판 품질 및 후속 공정에 어떤 영향을 미칩니까? Oct 22 , 2024
    SiC(탄화규소) 기판 제조 공정에서 SiC 잉곳 절단은 중요한 단계입니다. 이는 기판의 표면 품질과 치수 정확도를 직접적으로 결정할 뿐만 아니라 비용 관리에도 결정적인 영향을 미칩니다. 표면 거칠기(Ra), 총 두께 편차(TTV), 뒤틀림(BOW) 및 굽힘(WARP)과 같은 절단 공정에 의해 결정되는 주요 매개변수는 기판의 최종 품질, 수율 및 생산 비용에 큰 영향을 미칩니다. . 또한 절단 품질은 후속 연삭 및 연마 공정의 효율성 및 비용과 직접적인 관련이 있습니다. 따라서 SiC 잉곳 절단 기술의 개발과 발전은 전체 탄화규소 기판 제조 산업의 수준을 향상시키는 데 큰 의미가 있습니다. 다이아몬드 톱날, 원형 톱날, 제거, 큰 Ra 차이, 큰 변형, 넓은 슬릿, 느린 속도, 낮은 정밀도, 큰 소음 전기 ...
  • 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 기판의 이점은 무엇입니까? Oct 24 , 2024
    탄화 규소 기판은 차세대 반도체 제품으로서 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 전력 전자 장치 분야에서 큰 응용 가능성을 보여주었습니다. 그러나 SiC 잉곳의 고효율, 저손실 절단은 양산을 제약하는 핵심 기술 중 하나이다. 현재 모르타르 와이어 절단과 다이아몬드 와이어 절단은 SiC 잉곳 절단의 두 가지 주류 기술이며 연마재 도입 방식, 가공 효율성, 재료 손실 및 환경 영향 측면에서 상당한 차이가 있습니다. 이 글에서는 이 두 가지 절단 기술의 특성을 비교 분석하고 SiC 절단 공정의 최적화 방향에 대해 논의하는 것을 목표로 합니다. 1. 연마재 가져오기 모드 및 처리 효율성 · 모르타르 와이어 절단 : 유리 연마재를 사용하여 가공 속도가 상대적으로 느립니다. ·다이아몬드 와이어 절단: 전기 도금, 수지...
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