• AlN 기판의 후막 저항기 제조 기술 AlN 기판의 후막 저항기 제조 기술 Aug 30 , 2024
    마이크로일렉트로닉스 패키징 기술이 지속적으로 발전함에 따라 전자 부품의 성능과 집적도가 크게 증가하여 단위 부피당 발열량이 크게 증가했으며 이로 인해 방열 효율에 대한 요구 사항이 더욱 엄격해졌습니다(즉, , 열전도 성능) 차세대 회로 기판의. 현재 연구진은 질화알루미늄(AlN), 탄화규소(SiC), 산화베릴륨( BeO). 그러나 BeO는 독성으로 인해 환경적으로 제한됩니다. SiC는 유전율이 높기 때문에 기판 재료로 사용하기에 적합하지 않습니다. 대조적으로, AlN은 실리콘(Si) 재료와 유사한 열팽창 계수 및 적당한 유전 상수로 인해 선호되는 기판 재료입니다. 전통적으로 후막 슬러프는 주로 알루미나(Al2O3) 기판용으로 설계되었습니다그러나 이러한 슬러리의 구성은 AlN 기판과 접촉할 때 화학 반응을 일...
  • AlN 기판 성능 향상을 위한 소결 첨가제 최적화 AlN 기판 성능 향상을 위한 소결 첨가제 최적화 Sep 02 , 2024
    실제 응용 분야에서는 높은 열 전도성과 높은 전기 절연성 외에도 질화알루미늄 기판은 다양한 분야에서 높은 굽힘 강도를 요구합니다. 현재 시중에서 유통되는 질화알루미늄의 3점 굽힘 강도는 일반적으로 400~500MPa이며, 이는 특히 높은 신뢰성 요구 사항이 있는 IGBT 전력 장치 분야에서 질화알루미늄 세라믹 기판의 홍보 및 적용을 심각하게 제한합니다. AlN 재료의 복잡한 생산 공정과 높은 생산 비용으로 인해 대부분의 국내 AlN 재료는 여전히 높은 열 전도성과 고강도에 대한 응용 요구 사항을 충족할 수 없습니다. 질화알루미늄 세라믹 기판을 준비할 때 소결 방법과 소결 첨가제를 선택하면 절반의 노력으로 두 배의 결과를 얻을 수 있으며, 현재 질화알루미늄 세라믹을 소결하는 일반적인 방법은 소결 첨가제를 도입...
  • 반도체 소자 방열 분야에서 질화규소 기판의 응용 가능성 반도체 소자 방열 분야에서 질화규소 기판의 응용 가능성 Sep 03 , 2024
    지능정보화 시대에 접어들면서 반도체 소자는 빠르게 우리 삶을 점령했습니다. 가공물에서 발생하는 열은 반도체 소자의 고장을 일으키는 주요 요인이므로, 소자 고장으로 인한 많은 문제를 방지하고 장기적으로 효과적이고 안전한 작동을 보장하기 위해서는 효율적인 방열 장치가 필요합니다. 시스템. 현재 업계의 '방열' 작업에 있어 신전력 세라믹 기판의 교체는 매우 중요한 부분입니다. 우수한 내열성, 내식성, 높은 열전도율, 높은 기계적 강도, 칩과 일치하는 열팽창 계수 및 특성이 쉽게 저하되지 않는 세라믹 기판은 금속, 플라스틱 및 기타 재료보다 유리하며 고열 및 제품에 적합합니다. 가혹한 야외 환경으로 인해 대중에게 점점 더 널리 받아들여지고 있습니다. 세라믹 기판은 반도체 집적 회로에서 다음과 같은 역할을 합니다: ...
  • 질화규소 기판의 열전도율 최적화 질화규소 기판의 열전도율 최적화 Sep 04 , 2024
    고성능 열 관리 솔루션의 핵심인 질화규소(Si3N4) 기판 재료를 탐색할 때 열 전달 메커니즘에 대한 이해가 중요합니다. 질화규소의 주요 열 전달 메커니즘은 포논이라고 불리는 양자화된 핫 전하 캐리어를 통해 열을 전달하는 프로세스인 격자 진동에 의존하는 것으로 알려져 있습니다. 격자 내에서 포논의 전파는 단순한 선형 운동이 아니라 격자 사이의 복잡한 결합의 영향을 받아 포논 간의 빈번한 충돌이 발생하여 포논의 평균 자유 경로, 즉 평균 두 번의 충돌 사이에서 포논이 자유롭게 이동할 수 있는 거리. 이 메커니즘은 질화규소 재료의 열전도도에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, Si3N4 결정의 다양한 결함, 불순물 및 입자 계면은 포논 산란의 주요 원인이 됩니다. 이러한 산란 현상은 또한 포논의 평균 자유 경로를...
  • 질화 규소 기판의 격자 진동 메커니즘 및 소결 보조 전략 탐색 질화 규소 기판의 격자 진동 메커니즘 및 소결 보조 전략 탐색 Sep 05 , 2024
    고성능 전자 패키징, 항공우주 및 에너지 변환과 같은 첨단 기술에서 질화규소(Si3N4) 기판 소재는 우수한 기계적 특성, 화학적 안정성 및 고온 저항성으로 높은 평가를 받고 있습니다. 그러나 광범위한 적용에 영향을 미치는 핵심 요소 중 하나인 질화규소의 열전도도는 항상 재료 과학 연구의 초점이자 어려움이었습니다. 본 논문은 질화규소 기판의 주요 열전달 메커니즘인 격자 진동과 포논 전도를 심층적으로 탐구하고, 소결 첨가제의 선택 및 최적화 전략이 질화규소 기판의 열전도도에 미치는 영향을 체계적으로 분석하여 다음을 제공하는 것을 목표로 합니다. 질화규소 기판의 열관리 효율 향상을 위한 이론적 근거와 실무적 지침. 열전달 메커니즘에 대한 깊은 이해 질화규소의 주요 열전달 메커니즘, 즉 격자 진동과 포논 전도는 ...
  • 질화규소 기판의 열전도도 향상 질화규소 기판의 열전도도 향상 Sep 06 , 2024
    첨단 세라믹 소재 분야에서 질화규소(Si3N4)는 우수한 기계적 강도, 화학적 안정성, 고온 특성으로 인해 많은 주목을 받아왔습니다. 그러나 질화규소 세라믹의 열전도도는 폭넓은 적용에 영향을 미치는 핵심 요소 중 하나로 재료 과학 연구에서 중요한 주제였습니다. 본 논문은 질화규소 세라믹의 열전달 메커니즘, 특히 포논 전도 시 격자 진동 및 산란 현상을 조사하고, 질화규소의 소결 과정에서 탄소 첨가제의 독특한 역할과 열전도도를 향상시키는 메커니즘에 초점을 맞추는 것을 목표로 한다. 본 논문은 실험 데이터와 이론적 모델의 종합적인 분석을 통해 높은 열전도도를 갖는 질화규소 기판 제조에 대한 새로운 아이디어와 전략을 제공하는 것을 목표로 합니다. 열전달 메커니즘의 재이해 전형적인 공유 결합 세라믹 재료인 질화규소...
  • 질화알루미늄 기판의 전력소자 방열 향상을 위한 패키징 소재로서의 적용 가능성 질화알루미늄 기판의 전력소자 방열 향상을 위한 패키징 소재로서의 적용 가능성 Sep 09 , 2024
    전자 기술의 급속한 발전으로 전자 칩의 종합적인 성능은 나날이 향상되고 있지만 전체 크기는 줄어들고 있습니다. 이러한 추세는 성능을 크게 향상시키는 동시에 열유속의 극적인 증가라는 심각한 문제도 동반합니다. 전자 장치의 경우 온도가 조금만 상승해도 성능과 수명에 큰 영향을 미칠 수 있습니다. 연구에 따르면 장치 온도가 10… 올라갈 때마다 유효 수명이 30~50%씩 단축됩니다. 따라서, 어떻게 열을 효과적으로 관리하고 소자의 방열 능력을 향상시킬 것인가가 고출력 소자 개발에 있어서 핵심적인 기술적 병목 현상이 되고 있다. 이러한 맥락에서, 우수한 성능을 지닌 질화알루미늄 기판은 점차 전력소자 패키징 분야에서 선호되는 소재가 되고 있습니다. 질화알루미늄 기판의 성능 장점 높은 열전도율 질화알루미늄(AlN)는 ...
  • 세라믹 기판 재료의 진화: 알루미나에서 질화알루미늄 및 질화규소까지의 혁신 세라믹 기판 재료의 진화: 알루미나에서 질화알루미늄 및 질화규소까지의 혁신 Sep 10 , 2024
    오늘날 급변하는 전자 산업에서 세라믹 기판 재료는 고성능 전자 장치를 지원하는 핵심 기반으로, 그 성능과 특성은 전자 제품의 전반적인 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 초기 알루미나 세라믹부터 후기 질화알루미늄, 질화규소 및 기타 신소재에 이르기까지 세라믹 기판 재료의 개발은 과학 기술의 지속적인 발전과 혁신을 목격했습니다. 이 기사에서는 이러한 세라믹 기판 재료의 고유한 장점과 응용 전망, 특히 질화알루미늄 및 질화규소 세라믹이 우수한 성능으로 고전력 장치 방열 및 고강도 방열 환경 솔루션에서 어떻게 돋보이는지 살펴보겠습니다. , 현대 전자산업에 없어서는 안 될 중요한 소재가 되었습니다. 알루미나 기판는 세라믹 기판의 선구자로서 1929년부터 독일 지멘스(Siemens)에 의해 성공적으로 개발되었...
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우리는 고정된 최소 주문 금액 요구 사항을 갖고 있지 않습니다. 우리는 항상 고객의 요구를 충족시키는 데 중점을 두고 있으며 주문 규모에 관계없이 고품질 서비스와 제품을 제공하기 위해 노력합니다.

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