반도체 소재 분야에서 우수한 열 전도성, 넓은 밴드 갭 특성, 높은 항복 전계 강도 및 높은 전자 이동도를 갖춘 탄화규소(SiC)는 점차 연구 개발 핫스팟으로 자리잡고 있으며 차세대 반도체 혁신을 선도하고 있습니다. 전자 장치. 핵심 부품의 기판 재료로서 탄화 규소의 광범위한 응용 전망은 고효율 전력 전자 장치부터 고주파 통신 칩에 이르기까지 자명하며 그 수치는 어디에나 있습니다. 그러나 탄화규소 소재의 매우 높은 경도(모스 경도 약 9.5)는 양날의 검과 같아서 우수한 물리적 특성을 제공하지만 가공에 많은 장애물을 설정합니다.

탄화규소 기판을 연마하고 연삭하는 어려운 문제에 직면, 전통적인 처리 방법은 종종 부적절하고 비효율적이며 비용이 많이 듭니다. 이러한 맥락에서 금속 마찰 유도 반응 연삭 기술이 탄생하고 탄화규소의 효율적인 가공을 위한 새로운 길을 열었습니다. 이 기술은 반응 변성층의 지속적인 형성 및 제거를 통해 고온에서 금속과 탄화규소 마찰에 의해 생성되는 화학 반응을 교묘하게 사용하여 탄화규소 재료의 고속 및 낮은 손상 제거를 달성합니다. 이러한 혁신은 탄화규소의 높은 경도로 인한 가공 문제를 극복할 뿐만 아니라 가공 효율성과 표면 품질을 크게 향상시킵니다.

고온에서 탄화규소의 분해와 금속과의 불안정한 화합물의 형성을 방지하여 공구 마모를 악화시키려면 금속 마찰 유도 반응 연삭 기술을 정밀하게 제어된 조건에서 적용해야 한다는 점은 주목할 가치가 있습니다. 실험 데이터는 마찰 매체로 적합한 금속(예: 철, 순수 니켈)을 선택하면 탄화규소 기판(탄소 및 규소)의 다양한 표면을 차별화되고 효율적으로 제거할 수 있음을 보여줍니다. 구조적 안정성으로 인해 카본 표면의 표면 품질은 거의 손상되지 않습니다. 실리콘 표면에 결정 결함이 있지만 순수 니켈의 마찰 하에서 재료 제거 속도는 534μm/h에 도달할 수 있으며 이는 특정 조건에서 이 기술의 큰 잠재력을 보여줍니다.

앞으로 금속 마찰 유도 반응 연삭 기술은 탄화 규소 기판 처리 분야에서 더 넓은 적용을 달성할 것으로 기대됩니다. 연구가 심화되고 기술이 성숙해짐에 따라 이 기술은 대형 탄화규소 웨이퍼 가공으로 확대되고, 탄화규소 장치의 제조 효율성과 수율이 더욱 향상될 것으로 기대됩니다. 동시에 초정밀 연마 및 레이저 보조 가공과 같은 다른 고급 가공 기술과 결합하여 탄화규소 재료 가공의 포괄적인 최적화를 달성하고 탄화규소 반도체 산업을 새로운 단계로 발전시킬 것으로 예상됩니다.

요컨대, 탄화규소 기판 처리 과제와 기회가 공존하며, 금속 마찰 유도 반응 연삭 기술의 출현은 이 문제에 대한 혁신적인 솔루션을 제공합니다. 지속적인 기술 발전과 응용 분야의 지속적인 확장으로 탄화 규소 반도체 재료는 전자 과학 및 기술의 미래 발전에서 확실히 더 중요한 역할을 할 것입니다.