Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element

실리콘 카바이드 가열 요소 SiC 가열 막대

탄화 규소 발열체는 고순도 녹색 탄화 규소와 카본 블랙을 고온 규화 및 재결정화하여 만든 고온 전기 발열체입니다. 다른 금속 전기 발열체와 비교하여 산 및 알칼리 내식성, 강한 내 산화성, 큰 표면 부하 밀도, 빠른 온도 상승, 우수한 열충격 저항, 작은 열팽창 계수, 높은 열전도율, 높은 작동 온도, 긴 수명, 자동 전자 제어 시스템과 통합하면 정확하고 일정한 온도를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 생산 공정의 필요에 따라 자동 온도 조절을 달성할 수도 있습니다.

  • 상표:

    ATCERA
  • 품목 번호:

    AT-THG-BA001
  • 재료

    Silicon Carbide (SiC) Ceramic
  • 모양

    Rod , Mechanical Parts
  • 응용

    Semiconductor , Petrochemical Industry , Metallurgy Industry
SiC heating element

탄화규소 발열체의 특성

탄화 규소 발열체는 산 및 알칼리 내식성, 강한 내 산화성, 큰 표면 부하 밀도, 빠른 가열, 우수한 열충격 저항, 작은 열팽창 계수, 높은 열 전도성, 높은 사용 온도, 긴 수명 등의 장점을 가지고 있습니다. 등

1. 산 및 알칼리 내식성, 내산화성;

2. 금속 전열체에 비해 표면 부하 밀도가 크고 열전도율과 열효율이 높고 온도 상승이 빠릅니다.

3. 우수한 내열충격성, 빠른 내열성 및 내한성, 작은 열팽창 계수;

4. 사용 온도는 보호 대기 없이도 1600°C까지 가능하며 지속적인 서비스 수명은 2000시간 이상에 도달할 수 있습니다.

Applications of SiC Heater Element

SiC 히터엘리먼트의 응용

다양한 종류의 가마, 제련로, 진공로, 머플로 및 기타 가열 장비의 전기 가열 부품으로 탄화 규소 가열 요소는 금속, 전자, 화학 산업, 세라믹, 유리, 반도체 및 기타 분야에서 널리 사용되어 높은 발열량을 생성합니다. 생산 공정, 열 분석, 과학 연구를 위한 온도 환경.

1. 금속공업: 각종 금속의 열처리, 침탄, 질화처리, 분말야금의 소결

2. 전자 및 반도체 산업: 저항기, 커패시터, 세라믹 기판 등 부품의 소결, 기판의 금속화, 광섬유 열처리 등

3. 세라믹 및 유리 산업: 다양한 세라믹 소결, 유리 용융 및 표면 처리, 세라믹 및 유리 섬유 제조

4. 화학공업: 각종 코팅재료 및 기타 화학물질의 소결, 화학반응물의 가열 등

5. 실험실 분석: 고온 조건에서의 테스트 및 열 분석.

실리콘 카바이드 발열체

사이즈 차트

우리는 귀하의 정확한 사양에 맞는 최고의 탄화규소 발열체를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 우리의 전담 팀은 귀하의 지침을 세심하게 준수하여 고객의 기대를 뛰어넘기 위해 노력하고 있습니다. 또한 귀하의 고유한 요구 사항을 수용할 수 있도록 맞춤형 크기의 유연성을 제공합니다.

맞춤설계요청시 도면, 사양요구사항, 사용시나리오 정보를 제공하여야 한다.

가공 공차:
1. 직경 ≤50mm: ±0.5mm
2. 직경 50-100mm: ±1.5mm
3. 직경 100-300mm: ±3mm
4. 길이 ≤500mm:±2mm
5. 길이 500-2000mm:±3mm

기술 사양:
부피밀도 2.5-2.8g/cm3
다공성 5%-23%
굽힘강도 50~98MPa
열전도율 14-21W/m*… (1000…에서)
열팽창계수 4.5*10-6/… (at1000…)
최대 작동 온도 1380-1600…

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Single Helical

실리콘카바이드 발열체 단일 헬리컬
상품번호 외경
(mm)

히트존 길이
(mm)

콜드존 길이
(mm)
전체 길이
(mm)
가열부
(cm²)
전압
(v)
전력
(w)
저항범위(±20%)
( Ω )

SiC의 순수성

AT-THG-BA001 14 200 200 600 87 59 1650 2.11 99%
AT-THG-BA002 14 200 250 700 87 60 1680 2.14 99%
AT-THG-BA003 14 250 200 650 109 71 1990 2.53 99%
AT-THG-BA004 14 250 250 750 109 73 2040 2.61 99%
AT-THG-BA005 14 300 250 800 131 85 2380 3.04 99%
AT-THG-BA006 16 200 250 700 100 58 1970 1.71 99%
AT-THG-BA007 16 250 200 650 125 69 2350 2.03 99%
AT-THG-BA008 16 250 250 750 125 70 2380 2.06 99%
AT-THG-BA009 16 250 300 850 125 71 2410 2.09 99%
AT-THG-BA010 16 300 200 700 150 81 2750 2.39 99%
AT-THG-BA011 16 300 250 800 150 82 2790 2.41 99%
AT-THG-BA012 16 300 300 900 150 83 2820 2.44 99%
AT-THG-BA013 16 350 250 850 175 94 3200 2.76 99%
AT-THG-BA014 16 350 300 950 175 95 3230 2.79 99%
AT-THG-BA015 20 300 400 1100 188 84 3440 2.05 99%
AT-THG-BA016 20 350 400 1150219 97 3980 2.36 99%
AT-THG-BA017 20 400 400 1200 251 109 4470 2.66 99%
AT-THG-BA018 20 450 400 1250 282 121 4960 2.95 99%
AT-THG-BA019 25 300 400 1100 235 84 4120 1.71 99%
AT-THG-BA020 25 300 500 1300 235 86 4210 1.76 99%
AT-THG-BA021 25 400 400 1200 314 110 5390 2.24 99%
AT-THG-BA022 25 500 400 1300 392 135 6620 2.75 99%
AT-THG-BA023 30 300 400 1100 282 79 4980 1.25 99%
AT-THG-BA024 30 300 500 1300 282 80 5040 1.27 99%
AT-THG-BA025 30 400 400 1200 376 103 6490 1.63 99%
AT-THG-BA026 30 400 500 1400 376 104 6550 1.65 99%
AT-THG-BA027 30 500 400 1300 471 127 8000 2.02 99%
AT-THG-BA028 30 600 400 1400 565 151 9510 2.4 99%
AT-THG-BA029 35 400 400 1200 439 101 7680 1.33 99%
AT-THG-BA030 35 400 500 1400 439 102 7750 1.34 99%
AT-THG-BA031 35 500 400 1300 549 124 9420 1.63 99%
AT-THG-BA032 35 500 500 1500 549 125 9500 1.64 99%
AT-THG-BA033 35 600 400 1400 659 148 11200 1.96 99%
AT-THG-BA034 35 700 400 1500 769 171 13000 2.25 99%
AT-THG-BA035 40 500 400 1300 628 116 10700 1.26 99%
AT-THG-BA03640 500 500 1500 628 117 10800 1.27 99%
AT-THG-BA037 40 600 400 1400 753 138 12700 1.5 99%
AT-THG-BA038 40 700 400 1500 879 161 14800 1.75 99%
AT-THG-BA039 45 700 450 1600 989 149 16800 1.32 99%
AT-THG-BA040 45 800 400 1600 1130 168 19000 1.49 99%

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Double Helical

<1906년> <1907> <1908>AT-THG-BB039<1909> <1910>40<1911> <1912>400<1913> <1914>400<1915> <1916>800<1917> <1918>502<1919> <1920>167<1921> <1922>7100<1923> <1924>3.93<1925> <1926>99%<1927> <1928> <1929> <1930>AT-THG-BB040<1931> <1932>40<1933> <1934>450<1935> <1936>300<1937> <1938>750<1939> <1940>565<1941> <1942>186<1943> <1944>7910<1945><1946>4.37<1947> <1948>99%<1949> <1950년> <1951> <1952>AT-THG-BB041<1953> <1954>40<1955> <1956>450<1957> <1958>350<1959> <1960>800<1961> <1962>565<1963> <1964>187<1965> <1966>7950<1967> <1968>4.4<1969> <1970>99%<1971> <1972> <1973> <1974>AT-THG-BB042<1975> <1976>40<1977> <1978>500<1979> <1980>300<1981> <1982>800<1983> <1984>628<1985> <1986>206<1987> <1988>8760<1989> <1990>4.84<1991> <1992>99%<1993> <1994> <1995> <1996년> <1997> <1998> <1999> <2000> <2001> <2002><2003> <2004> <2005> <2006>실리콘카바이드 발열체봉<2007> <2008> <2009> <2010>품번<2011> <2012>외경<2013>(mm)<2014> <2015><2016>히트존 길이<2017>(mm)<2018> <2019><2020>한랭지 길이<2021>(mm)<2022> <2023>저항범위<2024>( Ω )<2025> <2026>SiC의 순수함<2027> <2028> <2029> <2030>AT-THG-BC001<2031> <2032>14<2033> <2034>200<2035> <2036>250<2037> <2038>1.2-1.3<2039> <2040>99%<2041> <2042> <2043> <2044>AT-THG-BC002<2045> <2046>14<2047> <2048>250<2049> <2050>250<2051> <2052>1.5-3.0<2053> <2054>99%<2055> <2056> <2057> <2058>AT-THG-BC003<2059> <2060>14<2061> <2062>300<2063> <2064>250<2065><2066>1.8-3.5<2067> <2068>99%<2069> <2070> <2071> <2072>AT-THG-BC004<2073> <2074>14<2075> <2076>400<2077> <2078>350<2079> <2080>2.3-4.7<2081> <2082>99%<2083> <2084> <2085> <2086>AT-THG-BC005<2087> <2088>14<2089> <2090>500<2091> <2092>350<2093> <2094>2.9-5.9<2095> <2096>99%<2097> <2098> <2099> <2100>AT-THG-BC006<2101> <2102>16<2103> <2104>200<2105> <2106>200<2107> <2108>0.9-1.9<2109> <2110>99%<2111> <2112> <2113> <2114>AT-THG-BC007<2115> <2116>16<2117> <2118>250<2119> <2120>200<2121> <2122>1.2-2.4<2123> <2124>99%<2125> <2126> <2127> <2128>AT-THG-BC008<2129> <2130>16<2131> <2132>300<2133> <2134>300<2135> <2136>1.4-2.8<2137> <2138>99%<2139> <2140> <2141> <2142>AT-THG-BC009<2143> <2144>18<2145> <2146>250<2147> <2148>250<2149> <2150>0.9-1.8<2151> <2152>99%<2153> <2154> <2155> <2156>AT-THG-BC010<2157> <2158>18<2159> <2160>300<2161> <2162>350<2163> <2164>1.1-2.2<2165> <2166>99%<2167> <2168> <2169> <2170>AT-THG-BC011<2171> <2172>18<2173> <2174>400<2175> <2176>250<2177> <2178>1.4-2.9<2179> <2180>99%<2181> <2182> <2183> <2184>AT-THG-BC012<2185> <2186>18<2187> <2188>500<2189> <2190>350<2191> <2192>1.8-3.6<2193> <2194>99%<2195> <2196> <2197> <2198>AT-THG-BC013<2199> <2200>20<2201> <2202>200<2203> <2204>200<2205> <2206>0.6-1.2<2207> <2208>99%<2209> <2210> <2211> <2212>AT-THG-BC014<2213> <2214>20<2215> <2216>250<2217> <2218>250<2219> <2220>0.7-1.4<2221> <2222>99%<2223> <2224> <2225> <2226>AT-THG-BC015<2227> <2228>20<2229> <2230>300<2231> <2232>300<2233> <2234>0.8-1.6<2235> <2236>99%<2237> <2238> <2239> <2240>AT-THG-BC016<2241> <2242>20<2243> <2244>400<2245> <2246>350<2247> <2248>1.1-2.2<2249> <2250>99%<2251> <2252> <2253> 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실리콘카바이드 발열체 이중나선형
상품번호 외경
(mm)

히트존 길이
(mm)

의 길이찬 지역
(mm)
전체 길이
(mm)
가열부
(cm²)
전압
(v)
전력
(w)
저항범위(±20%)
( Ω )
SiC의 순수성
AT-THG-BB001 16 100 150 250 50 61 940 3.96 99%
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AT-THG-BB007 20 100 150 250 62 58 1110 3.03 99%
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AT-THG-BB010 20 200 200 400 125 109 2090 5.68 99%
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AT-THG-BB027 30 500 300 800 471 214 6630 6.91 99%
AT-THG-BB028 35 200 200 400 219 89 3260 2.43 99%
AT-THG-BB029 35 250 200 450 274 109 3990 2.98 99%
AT-THG-BB030 35 300 300 600 329 130 4760 3.55 99%
AT-THG-BB031 35 400 300 700 439 171 6260 4.67 99%
AT-THG-BB032 35 450 350 800 494 191 6990 5.22 99%
AT-THG-BB033 35 500 300 800 549 211 7720 5.77 99%
AT-THG-BB034 40 200 200 400 251 86 3660 2.02 99%
AT-THG-BB035 40 250 200 450 314 106 4510 2.49 99%
AT-THG-BB036 40 300 300 600 376 127 5400 2.99 99%
AT-THG-BB037 40 350 300 650 439 147 6250 3.46 99%
AT-THG-BB038 40 400 300 700 502 167 7100 3.93 99%

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Rod







Drawing of Silicon Carbide Heating Element Dumbbell








Drawing of Silicon Carbide Heating Element Type W









Drawing of Silicon Carbide Heating Element Type U










<2>실리콘<3>카바이드<4> 소재<5>의 기술 데이터 <6> <7> <8> <9> <10> <11>항목<12> <13>유닛<14> <15>인덱스 데이터<16> <17> <18> <19>반응소결 SiC<20>(SiSiC)<21> <22>SiC<23>(NBSiC)<24>와 결합된 질화규소 <25>무가압 소결 SiCn<26>(SSiC)<27> <28> <29> <30>SiC 함유량<31> <32>%<33> <34>85<35> <36>80<37> <38>99<39> <40> <41> <42>무료 실리콘 콘텐츠<43> <44>%<45> <46>15<47> <48>0<49> <50>0<51> <52> <53> <54>최대. 사용온도<55> <56>… <57> <58>1380<59> <60>1550<61> <62>1600<63> <64> <65> <66>밀도<67> <68>g/cm3<69> <70>3.02<71> <72>2.72<73> <74>3.1<75> <76> <77> <78>다공성<79> <80>%<81> <82>0<83> <84>12<85> <86>0<87> <88> <89> <90>굽힘강도<91> <92>20~<93> <94>엠파<95> <96>250<97> <98>160<99> <100>380<101> <102> <103> <104>1200…<105> <106>엠파<107> <108>280<109> <110>180<111> <112>400<113> <114> <115> <116>탄성계수<117> <118>20~<119> <120>GPA<121> <122>330<123> <124>220<125> <126>420<127> <128> <129> <130>1200…<131> <132>GPA<133> <134>300<135> <136>/<137> <138>/<139> <140> <141> <142>열전도율<143> <144>1200… <145> <146>W/m.k<147> <148>45<149> <150>15<151> <152>74<153> <154> <155> <156>열팽창계수<157> <158>K-1×10-6<159> <160>4.5<161> <162>5<163> <164>4.1<165> <166> <167> <168>비커스 경도<169> <170>고압<171> <172>kg/mm2<173> <174>2500<175> <176>2500<177> <178>2800<179> <180> <181> <182> <183> <184> <185>*이 차트는 당사의 SiC 제품 및 부품 제조에 일반적으로 사용되는 탄화규소 소재의 표준 특성을 보여줍니다. 맞춤형 탄화규소 제품 및 부품의 특성은 관련된 특정 공정에 따라 달라질 수 있음을 유의하시기 바랍니다.<186>




사용방법

1. 설치 크기, 가열 온도 및 기타 요구 사항이 충족되도록 응용 분야의 필요에 따라 탄화 규소 가열 요소의 적절한 유형 및 매개 변수를 선택하십시오.
2. 운송 및 설치 중에는 SiC 로드가 파손되지 않도록 격렬한 진동이나 충격을 피하십시오. 설치하는 동안 SiC 로드는 자유롭게 회전할 수 있어야 하며 콜드 엔드 회로 연결이 견고하고 떨어지지 않는지 확인해야 합니다.
3. 오랫동안 사용하지 않은 새 용광로나 전기로는 예열을 한 후 사용하고, 오래된 봉이나 기타 열원을 사용하는 것이 좋습니다.
4. 전원 투입 시 초기 전압은 정격 동작 전압의 약 50% 수준으로 제어되며, 안정 후 점차적으로 정격 전압까지 상승하여 실리콘 카바이드 로드의 급격한 온도 상승으로 인한 파손 위험을 줄인다. <44> <45> <46>5. 정격온도를 초과하는 환경에서 작동하지 말며, 사용 중 고농도 유해가스와의 접촉을 피하십시오.<47> <48> <49> <50>6. 전류계, 전압계 및 온도계의 판독 값이 언제든지 정상인지 관찰하고, 콜드 엔드 고정 장치가 느슨한 지, 탄화 규소 막대 가열 부분의 적열이 균일한지, 산화 흑화 현상이 있는지 정기적으로 확인하십시오. 비정상적인 탄화 규소 발열체를 적시에 교체하십시오. <51> <52> <53> <54>7. 탄화규소 봉 보관시 알루미늄층의 차가운 끝부분이 분해되거나 떨어지지 않도록 습기를 피해야 한다.<55> <56> <57> <58> <59> <60> <61> <62> <63> <64> <65> <66> <67> <68> <69> <70> <71> <72> <73> <74> <75> <76> <77>

귀중한 정보

SiC Heater Element Packing

SiC 히터 엘리먼트 패킹

SiC 히터 요소는 잠재적인 손상을 방지하기 위해 적절한 용기에 조심스럽게 포장됩니다.

맞춤화의 장점
맞춤화의 장점

1. 귀하의 응용 시나리오에 따라 요구 사항을 분석하고 적절한 재료 및 처리 계획을 선택하십시오.

2. 전문팀, 신속한 대응으로 수요 확인 후 24시간 이내에 솔루션과 견적을 제공할 수 있습니다.

3. 유연한 비즈니스 협력 메커니즘, 최소 하나의 수량 맞춤화를 지원합니다.

4. 제품이 귀하의 요구 사항에 맞는지 확인하기 위해 샘플 및 테스트 보고서를 신속하게 제공하십시오.

5. 제품 사용 및 유지 관리 제안을 제공하여 사용 비용을 절감하세요.

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