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반도체 산업의 왕성한 발전은 현대 과학 기술 진보의 중요한 지주로서 소형화, 고속화, 고성능 집적 회로의 탐구를 지속적으로 촉진하고 있습니다. 이러한 추세는 반도체 제조 공정의 정밀도와 기술적 난이도의 비약으로 직접적으로 이어지며, 매 순간의 연결은 첨단, 고품질, 고정밀 반도체 제조 장비에 크게 의존하고 있습니다. 탄화규소(SiC)는 구조용 세라믹 소재의 일종으로 높은 밀도, 우수한 열전도도, 놀라운 굽힘 강도, 높은 탄성률, 우수한 내식성, 우수한 고온 저항 등 우수한 물리적 특성으로 탁월한 적응성과 안정성을 보여줍니다. 이는 에피택셜 성장, 에칭 및 강한 부식과 극도의 고온 조건을 포함한 기타 단계와 같은 웨이퍼 처리 중에 직면하는 극한 환경에 효과적으로 저항할 수 있으며 응력 변형이나 열 변형이 발생하지 않습니다. 따라서 미세 연삭 및 연마, 에피택셜/산화/확산 및 기타 열처리 공정, 리소그래피 기술, 박막 증착, 정밀 에칭 및 이온 주입 등과 같은 반도체 제조의 여러 핵심 단계에서 탄화규소가 사용되었습니다. 널리 인식되고 적용되어 반도체 기술을 촉진하는 중요한 힘이 되고 있습니다.

반도체 제조의 에칭 공정에서는 액체 또는 가스 에칭 장치(예: 불화 가스)에 의해 이온화된 플라즈마를 사용하여 웨이퍼에 충격을 가하고 원하는 회로 패턴이 웨이퍼 표면에 남을 때까지 원하지 않는 물질을 선택적으로 제거합니다. 박막증착은 식각의 역공정과 유사하다. 절연물질을 반복적으로 쌓고, 금속을 각 층씩 덮어 박막을 형성하는 증착방식이다. 이 두 공정 역시 플라즈마 기술과 캐비티 및 부품에 부식을 일으키기 쉬운 기타 기술을 사용하기 때문에 장비의 부품은 우수한 플라즈마 저항 특성과 불소 함유 식각 가스에 대한 낮은 반응성 및 낮은 전도성을 가져야 합니다.

포커싱 링과 같은 전통적인 식각 및 증착 장비 구성 요소는 실리콘이나 석영과 같은 재료로 만들어집니다. 그러나 집적회로의 소형화가 진행됨에 따라 식각 공정을 위한 집적회로 제조의 수요와 중요성이 증가하고 있으며, 실리콘 웨이퍼를 미세한 수준에서 정밀하게 식각하기 위해서는 고에너지 플라즈마를 이용할 필요가 있어 이를 실현할 수 있는 가능성을 제공하고 있습니다. 더 작은 선폭과 더 복잡한 장비 구조. 따라서 화학적 기상 증착(CVD) 실리콘 카바이드는 우수한 물리적, 화학적 특성을 가지고 있습니다. 그리고 고순도, 고균일성 등이 점차 에칭, 증착 장비 코팅 재료의 첫 번째 선택이 되었습니다. 현재 에칭 장비의 CVD 실리콘 카바이드 부품  에는 포커싱 링, 가스 스프레이 헤드, SiC 트레이 , 엣지 링 등이 포함됩니다. 증착 장비에는 챔버 커버, 캐비티 라이닝, SiC 코팅 흑연 베이스 등이 있습니다.